LG电子启动混合键合设备研发 目标2028年量产

观点网

2025-07-14 09:49

  • LG电子生产技术研究所启动混合键合设备开发,计划2028年实现大规模量产,该技术将用于16层以上HBM内存堆栈构建。

    观点网讯:7月14日,韩国LG电子宣布其生产技术研究所(PTI)已启动混合键合设备开发项目,目标在2028年实现大规模量产。该技术被视为下一代高带宽存储器(HBM)制造的关键环节。

    混合键合采用无凸块的铜-铜直接键合方式,可显著缩小各层DRAM芯片间距,在有限高度内实现16层以上堆叠,同时降低发热量。

    免责声明:本文内容与数据由观点根据公开信息整理,不构成投资建议,使用前请核实。

    审校:刘满桃



    相关话题讨论



    你可能感兴趣的话题

    科技